华南理工请求半导体器材制备办法专利有用防备电弧损害

  国家知识产权局信息数据显现，华南理工大学;粤芯半导体技能股份有限公司请求一项名为“一种半导体器材制备办法及半导体器材”的专利，公开号CN121969158A，请求日期为2026年4月。

  专利摘要显现，本请求供给了一种半导体器材制备办法及半导体器材，触及半导体制作技能领域，该办法有：在晶圆符号区域内，在P型衬底上生成N型注入区，在N型注入区标明发生触摸孔，N型注入区与P型衬底构成PN结二极管；在N型注入区外表生成第一层金属层；按芯片金属层数量在第一层金属层上顺次构成多层金属网格结构的金属层，相邻金属层经过通孔电性互连；在最外层金属层外表生成钝化层，取得半导体器材；其间，金属层、触摸孔与N型注入区一起构成天线结构，并经过PN结二极管安全接地。经过选用上述半导体器材制备办法及半导体器材，处理了在晶圆符号区域制程中，电荷易积累并发生破坏性电弧的问题，完成了电荷的低阻泄放，有用防备电弧损害。

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